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台南市 |
13161 |
R92A0748 |
台灣瑞環股份有限公司台南工廠 |
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經濟部, 科技部(國科會) |
D10003100001 |
10320414270 |
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已檢核通過 |
2015/1/6 上午 08:39:50 |
2014/12/27 00:00 |
2015/9/14 00:00 |
D-1504 |
非有害有機廢液或廢溶劑(廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
20 |
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經濟部, 科技部(國科會) |
D10003100001 |
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已檢核通過 |
2015/1/6 上午 08:39:50 |
2014/12/27 00:00 |
2015/9/14 00:00 |
D-1504 |
非有害有機廢液或廢溶劑(廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
20 |
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台南市 |
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經濟部, 科技部(國科會) |
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2015/1/6 上午 08:39:50 |
2014/12/27 00:00 |
2015/9/14 00:00 |
D-1504 |
非有害有機廢液或廢溶劑(廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
20 |
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台南市 |
13161 |
R92A0748 |
台灣瑞環股份有限公司台南工廠 |
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經濟部, 科技部(國科會) |
D10003100001 |
10320414270 |
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2015/1/6 上午 08:39:50 |
2014/12/27 00:00 |
2015/9/14 00:00 |
D-1504 |
非有害有機廢液或廢溶劑(廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
20 |
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台南市 |
13495 |
R92A0748 |
台灣瑞環股份有限公司台南工廠 |
(736)台南市柳營區大農里環園西路二段一九號 |
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已檢核通過 |
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2015/2/17 00:00 |
2015/9/14 00:00 |
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廢光阻剝離液 |
公告可直接再利用;電子零組件製造業在薄膜電晶體液晶顯示器製造之薄膜電晶體陣列(Array)製程,所產生之光阻剝離廢液(經濟部) |
光阻剝離液原料 |
1300 |
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180258 |
無國家標準認證 |
無符合管制規定之說明 |
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(736)台南市柳營區大農里環園西路二段一九號 |
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已檢核通過 |
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廢光阻剝離液 |
公告可直接再利用;電子零組件製造業在薄膜電晶體液晶顯示器製造之薄膜電晶體陣列(Array)製程,所產生之光阻剝離廢液(經濟部) |
光阻剝離液原料 |
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無國家標準認證 |
無符合管制規定之說明 |
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13495 |
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台灣瑞環股份有限公司台南工廠 |
(736)台南市柳營區大農里環園西路二段一九號 |
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已檢核通過 |
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2015/2/17 00:00 |
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廢光阻剝離液 |
公告可直接再利用;電子零組件製造業在薄膜電晶體液晶顯示器製造之薄膜電晶體陣列(Array)製程,所產生之光阻剝離廢液(經濟部) |
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1300 |
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無國家標準認證 |
無符合管制規定之說明 |
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台南市 |
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台灣瑞環股份有限公司台南工廠 |
(736)台南市柳營區大農里環園西路二段一九號 |
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公告可直接再利用;電子零組件製造業在薄膜電晶體液晶顯示器製造之薄膜電晶體陣列(Array)製程,所產生之光阻剝離廢液(經濟部) |
光阻剝離液原料 |
1300 |
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無國家標準認證 |
無符合管制規定之說明 |
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台南市 |
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台灣瑞環股份有限公司台南工廠 |
(736)台南市柳營區大農里環園西路二段一九號 |
經濟部, 科技部(國科會) |
D10003100001 |
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已檢核通過 |
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2015/2/17 00:00 |
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廢光阻剝離液 |
公告可直接再利用;電子零組件製造業在薄膜電晶體液晶顯示器製造之薄膜電晶體陣列(Array)製程,所產生之光阻剝離廢液(經濟部) |
光阻剝離液原料 |
1300 |
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182499 |
無國家標準認證 |
無符合管制規定之說明 |
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台南市 |
13495 |
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台灣瑞環股份有限公司台南工廠 |
(736)台南市柳營區大農里環園西路二段一九號 |
經濟部, 科技部(國科會) |
D10003100001 |
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已檢核通過 |
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2015/2/17 00:00 |
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R-1501 |
廢光阻剝離液 |
公告可直接再利用;電子零組件製造業在薄膜電晶體液晶顯示器製造之薄膜電晶體陣列(Array)製程,所產生之光阻剝離廢液(經濟部) |
光阻剝離液原料 |
1300 |
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191799 |
無國家標準認證 |
無符合管制規定之說明 |
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台南市 |
13495 |
R92A0748 |
台灣瑞環股份有限公司台南工廠 |
(736)台南市柳營區大農里環園西路二段一九號 |
經濟部, 科技部(國科會) |
D10003100001 |
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已檢核通過 |
2015/2/24 上午 11:24:34 |
2015/2/17 00:00 |
2015/9/14 00:00 |
R-1501 |
廢光阻剝離液 |
公告可直接再利用;電子零組件製造業在薄膜電晶體液晶顯示器製造之薄膜電晶體陣列(Array)製程,所產生之光阻剝離廢液(經濟部) |
光阻剝離液原料 |
1300 |
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192999 |
無國家標準認證 |
無符合管制規定之說明 |
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台南市 |
13495 |
R92A0748 |
台灣瑞環股份有限公司台南工廠 |
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經濟部, 科技部(國科會) |
D10003100001 |
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已檢核通過 |
2015/2/24 上午 11:24:34 |
2015/2/17 00:00 |
2015/9/14 00:00 |
C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
40 |
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2015/2/24 上午 11:24:34 |
2015/2/17 00:00 |
2015/9/14 00:00 |
C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
40 |
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台灣瑞環股份有限公司台南工廠 |
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2015/2/24 上午 11:24:34 |
2015/2/17 00:00 |
2015/9/14 00:00 |
C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
40 |
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R92A0748 |
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2015/2/17 00:00 |
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C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
40 |
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C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
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2015/2/17 00:00 |
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C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
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2015/2/24 上午 11:24:34 |
2015/2/17 00:00 |
2015/9/14 00:00 |
C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
40 |
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2015/2/17 00:00 |
2015/9/14 00:00 |
C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
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2015/2/17 00:00 |
2015/9/14 00:00 |
C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
40 |
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C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
40 |
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C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
40 |
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C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
40 |
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C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
40 |
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台南市 |
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廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
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廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
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廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
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C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
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C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
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C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
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C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
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C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
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C-0301 |
廢液閃火點小於60℃(廢IPA廢液、廢NMP廢液) |
半導體製造程序 |
工業級溶劑, |
160 |
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