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| column | value |
|---|---|
| tf_hs_e_reason | 本案貨品參據型錄及美國海關分類案例(NO 25506, NY B86868)，宜歸列貨品分類號列第8541.29.90.00-8號「其他電晶體」項下。惟貨名宜修正為「IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) Module絕緣閘雙極性電晶體模組」。 |
| TF_STANDARD_HS | 85412990008 |
| tno | 85412990 |
| sc | 00 |
| cd | 8 |
| TF_ENGLISH_COMMODITY | IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) Module絕緣閘雙級電晶體模組/ P/NO.216295100035/ 附規格圖一份 |
| TF_FACTOR_MATERIAL | 如附件powerpoint檔中的IGBT Basic Structure及CHIP Structure |
| TF_FUNCTION | 用來控制感應馬達的電流與電壓的電晶體模組 |
| TF_ISSUE_DOCU_NO | 98CA0022 |
| TF_ISSUE_DATE | 20090409 |
| cnote | 其他電晶體 |
| enote | Other transistors |