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| 系統編號 | 102NCTU5428127 |
| 作者 | 戴谷銘 |
| 論文名稱 | 利用氮化鋁/氮化矽作為閘極介電質及鈍化層之低電流崩潰氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體 |
| 指導老師 | 張翼,張俊彥 |
| 學位名稱 | 碩士 |
| 學校名稱 | 國立交通大學 |
| 系所名稱 | 電子工程學系 電子研究所 |
| 畢業學年度 | 102 |
| 博碩士論文網址 | http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/23311636155687186339 |